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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35002N6AT1
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22--A114)
1C (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22--A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22--C101)
IV (Minimum)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD22--A113, IPC/JEDEC J--STD--020
3
260
°C
Table 5. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Saturated Drain Current
(VDS
=3.5Vdc,VGS
=0Vdc)
IDSS
?
1.7
?
Adc
Off State Leakage Current
(VGS
=--0.4Vdc,VDS
=0Vdc)
IGSS
?
<1.0
100
μAdc
Off State Drain Current
(VDS
=6Vdc,VGS
=--2.5Vdc)
IDSO
?
?
600
μAdc
Off State Current
(VDS
= 28.5 Vdc, VGS
=--2.5Vdc)
IDSX
?
<1.0
9
mAdc
Gate--Source Cut--off Voltage
(VDS
=3.5Vdc,IDS
=8.7mA)
VGS(th)
-- 1 . 2
--0.95
-- 0 . 7
Vdc
Quiescent Gate Voltage
(VDS
=6Vdc,ID
=65mA)
VGS(Q)
-- 1 . 1
--0.85
-- 0 . 6
Vdc
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=6Vdc,IDQ
=65mA,Pout
= 158 mW Avg., f = 3550 MHz, Single--Carrier
W--CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @
±5MHzOffset.
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
Gps
8.5
10
?
dB
Drain Efficiency
ηD
23
26.5
?
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
?
-- 4 2
-- 3 8
dBc
Typical RF Performance
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=6Vdc,IDQ
= 65 mA, f = 3550 MHz
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
1.5
?
W
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
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